Ovonyx与奇梦达签订相变内存技术许可协议

　　千龙网讯2007年1月16日，Ovonyx公司与奇梦达股份公司（NYSE：QI）宣布，双方就采用Ovonyx和奇梦达的相变随机存取存储器（PCRAM）相关技术专利及知识产权的内存产品，签订长期交叉许可协议。

　　Ovonyx与其最大的股东EnergyConversionDevices发明并率先开发了PCRAM技术，对PCRAM的情况非常了解，包括相变内存设备、材料、加工、设计、模型制造和性能优化。OvonyxPCRAM技术采用可逆相变存储过程，能够实现高性能、高密度、阵列寻址式半导体存储器技术，该技术可替代闪存和DRAM存储器，同时也可应用于微控制器和可重构MOS逻辑器件等嵌入式应用。

　　奇梦达多年来一直从事内存产品的研发，包括目前与IBM和Macronix合作进行的研发项目，具备丰富的经验并在相变内存领域拥有多项重要知识产权。作为奇梦达内存部业务的一部分，奇梦达今后将继续从事相变内存技术的研发，并推动其实现成果转化。

　　“Ovonyx的PCRAM技术有可能给闪存和DRAM业务带来革命性变化。”奇梦达总裁兼首席执行官KinWahLoh指出，“在Ovonyx的大力支持之下，我们将加大该新兴技术的研发力度，推动其实现成果转化。”

　　“奇梦达拥有多个300毫米晶圆厂以及世界一流的开发团队，这为生产极具竞争力和创新性的PCRAM内存产品提供了绝佳的平台。”Ovonyx总裁兼首席执行官TylerLowrey指出，“我们非常高兴，同时也期待与奇梦达合作开展PCRAM产品开发项目。”