台积电宣布成功试产32纳米静态随机存取记忆体

　　中新网12月11日电 台积电11日在美国华盛顿特区举行的国际电子组件大会(IEDM)中发表论文，宣布开发出同时支持模拟及数字集成电路的32纳米制程技术，并成功试产出32纳米2Mb静态随机存取记忆体(SRAM)，且已通过功能试验。

　　据“中央社”报道，台积电表示，成功开发出32纳米制程技术，象征公司先进技术的开发迈向另一个新里程碑。

　　台积电指出，开发出的低耗电量32纳米制程技术，具备低待机耗电量晶体管、模拟及射频功能、铜导线以及低介电系数材料导线等特色，适合用于生产可携式产品所需的系统单晶片。

　　因应客户不同市场需求，台积电未来将提供包括数字、模拟、射频以及高密度记忆体等多样的32纳米制程。