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《瞭望》文章:英特尔芯片“大连制造”


  《瞭望》文章:英特尔芯片“大连制造”

  英特尔大连芯片工厂的先进制造工艺,将为中国企业走精尖制造之路提供切实的经验

  文/《瞭望》新闻周刊记者傅兴宇王莹

  国际芯片巨头英特尔公司3月底在北京宣布,将投资25亿美元,在大连建设一座12英寸90纳米制程技术的独资芯片生产厂。

该项目将于今年年底动工,2010年上半年投产。这是英特尔在亚洲的惟一一座12英寸生产线。

  “现在这里只是一块地,两年半以后,英特尔的企业、学校和社区都将在这里诞生,今天的蓝图将变成美丽的现实。”美国英特尔公司全球副总裁、中国区总裁陈伟锭接受《瞭望》新闻周刊采访时,描画了英特尔大连芯片制造工厂的未来。

  英特尔12英寸晶圆厂落户大连的消息,引起国内外广泛关注。有报道猜测,英特尔在中国的建厂计划可能获得了中国政府多达10亿美元的补助,而自身对新工厂的现金投入其实少得可怜,不过是利用中国较低的建设成本“把一个旧工厂搬了家”。而且,英特尔大连厂将使用低端技术,届时生产出的产品,可能“主要用于包括中国市场在内的发展中国家的廉价电脑上”。果真如此吗?

  技术:主流还是过时

  从2006年下半年开始,英特尔在大连建晶圆厂的消息传出,外界担心这一举动是否违反美国、日本等国1996年签订的管制半导体设备和技术进入中国的《瓦森纳协议》。根据该协议,出口中国的技术至少落后国际同期主流技术的两至三代,并要经过美国政府、国防部和商务部的联合审批。

  两年前,美国德州仪器准备投资40亿美元在深圳建晶圆厂的计划,就曾因美国政府的反对而落空。据报道,英特尔公司总裁贝瑞特曾在美国圣何塞举行的一次会议上表示,美国政府绝对不会同意我们在中国建设使用90纳米工艺在300毫米(12英寸)晶圆片上生产微处理器的芯片工厂,美国的出口管制政策影响了美国公司在中国市场上的竞争力。

  但此次英特尔落户大连的生产厂采用的正是90纳米技术。

  “90纳米芯片制造技术约落后于美国最新技术两代。但这种主流技术产品的转移,与美国政府的承受能力和管制要求相适应,也是中国可以接受的。”留美博士、计算机专家刘佳晨分析说。

  资料显示,英特尔现在用于制造芯片组的技术仍是90纳米技术。但英特尔主流处理器已采用65纳米生产工艺,2007年第三季度将发布基于45纳米的产品。因此到2010年大连厂投产时,90纳米工艺将成为落后两代的技术。有报道由此推断说,英特尔届时生产出的产品,将可能主要用于包括中国市场在内的发展中国家的廉价电脑上。

  接受《瞭望》新闻周刊采访的信息产业专家认为,大连芯片制造工厂引进12英寸晶圆、90纳米技术,应当被看作是中国集成电路产业技术进步的一个重大突破。首先,这一制造技术水准,是当今世界集成电路领域只有少数几个大公司才拥有的主流技术;其次,它是中国迄今为止在集成电路领域引进的惟一一个世界先进水平的项目,使中国跨进了世界先进芯片制造行列。

  以集成电路为核心的电子信息产业早已取代石油、钢铁等传统产业,成为全球第一大产业。世界集成电路销售额年均增长速度为15%,2010年将达到5000亿美元左右。目前,英特尔是全球这一领域科技创新的典范,因为有了英特尔,美国集成电路技术领先全球。

  据统计,从2000年到2006年,中国芯片投资额超过150亿美元,相当于过去20年总和的5倍。集成电路前端芯片制造有30多条生产线,半导体行业年均增长超过30%,高于全球3~4倍。但中国的芯片制造技术,目前仍局限于8英寸以下、0.25~0.18微米的技术水平。国内“中芯国际”等企业正在京沪等地建设多条12英寸、90~100纳米的生产线,现已有一条线进入批量生产。相比之下,英特尔几乎垄断了全球约80%的微处理器市场,拥有7个12英寸晶圆工厂和更高的芯片制造技术。

  英特尔选择第八个12英寸晶圆厂落户大连,客观上有利于中国集成电路产业的整体技术提升,对人才培养等也会带来积极影响。

  90纳米并非不可逾越。在有关“落后两代”的问题上,英特尔总裁兼首席执行官保罗奥特利尼在北京的新闻发布会上表示,英特尔考虑的是把最需要的产品带到中国,同时,还要考虑到“美国政府的需求”,但如果有可能,英特尔希望“做得更多”。

  英特尔全球副总裁、中国区总裁陈伟锭接受《瞭望》新闻周刊采访时表示,作为长期战略合作伙伴,中国也是“英特尔长期技术性合作伙伴”。技术研发、市场开拓、晶圆生产、人才培养等,英特尔会一步一步地兑现承诺,实现英特尔与中国共成长。“我不想预测英特尔在大连的技术进展情况,但可以肯定300毫米晶圆是一流的技术。未来采用多少纳米技术并不重要,重要的是要相信英特尔在中国的技术进展会顺理成章。”


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(责任编辑:曾玉燕)
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