日本制成光电转换率更高的非硅系太阳能电池

　　新华网东京7月17日电 （记者钱铮）日本产业技术综合研究所16日宣布，该研究所和一家企业合作开发出一种新技术，可将使用铜铟镓硒（CIGS）薄膜的非硅系、可弯曲太阳能电池的光电转换效率，由17．5％提高到17．7％。

　　产业技术综合研究所16日发布的新闻公报说，采用铜、铟、镓、硒制成的半导体材料——CIGS薄膜生产的太阳能电池具备不易老化，耐放射线等优点。同时，这种太阳能电池的光电转换层的厚度可以做成仅几微米，质量小，原料消耗少。

　　提高这种太阳能电池的光电转换效率有几个必要的技术性问题，其中之一就是向CIGS薄膜的光吸收层添加碱性物质，但是很多碱性化合物具有潮解性，物理性质不稳定，处理比较困难。

　　产业技术综合研究所此次开发的新技术在太阳能电池的内侧电极层形成之前，先使稳定的化合物——硅酸盐玻璃在基板上形成薄层，通过控制这一薄层形成的条件，来控制透过内侧电极层到达其上方的光吸收层的碱性物质数量。使用表面平滑的陶瓷为基板，再加上新技术，该研究所成功使小面积可弯曲的这种太阳能电池的光电转换效率提高到17．7％。

　　公报说，该研究所下一步的研究目标是将这种提高光电转换效率的技术，应用于相当于实用尺寸的太阳能电池模块中。