特征：
80V,280A
RDS（ON）<2.0mΩ＠VGS=10V TYP:1.8mΩ
表面安装封装
超级沟
先进沟槽电池设计
应用：
电力设备
BMS设备
高功率逆变器系统返回搜狐，查看更多
责任编辑：
铨力授权一级代理商 APG020N08D7 N沟道增强型MOSFET
2024-10-10 17:57
发布于：广东省
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