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华羿微代理商 HYG012N04NS1 N沟道增强型MOSFET

特征:

40V;385A

RDS(ON)= 1.06 mΩ(typ.) @VGS = 10V

100%雪崩测试

100% DVDS

可靠且耐用

无卤素和绿色设备可用(符合 RoHS 标准)

应用:

开关应用

DC-DC

锂离子电池保护

电机控制

详情请咨询我司业务15986786916返回搜狐,查看更多

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