在近日发生的科技界重大突破中，思坦科技联合南方科技大学、香港科技大学以及国家第三代半导体技术创新中心（苏州），成功研发出基于高功率铝镓氮（AlGaN）深紫外Micro-LED显示的无掩膜光刻技术。该技术的相关成果于2024年10月15日在国际顶尖学术期刊Nature Photonics上发表，引发了广泛关注。
一、重塑半导体制造的未来
光刻技术是集成电路制造的心脏，直接影响芯片的精度与性能。然而，传统光刻工艺因掩膜版的制造与更换成本高昂，以及系统体积庞大，长期以来被欧美发达国家所垄断，成为全球半导体行业的一大瓶颈。
思坦科技此次研发的无掩膜光刻技术，利用高功率AlGaN深紫外光源，首次实现以极低的成本和高效率制造Micro-LED显示屏幕，极大地提升了光刻效率，降低了制造门槛。
二、无掩膜光刻技术的技术革新
该技术的创新在于采用深紫外（UVC）Micro-LED，波长达到270纳米，单个LED像素的尺寸仅有3微米，且外量子效率高达5.7%，发光亮度更是达到了396W/cm²。此技术突破了传统光刻的光功率限制，通过直接显示曝光图案，将图案与光源实现完美结合。
此次研究成果不仅展示了思坦科技在Micro-LED无掩膜光刻领域的领先地位，也标志着半导体制造工艺的革新即将来临。值得一提的是，该技术实现的分辨率高达320×140像素，像素密度达到2540 PPI，成为全球Micro-LED显示技术的重要里程碑。
三、技术应用前景广阔
思坦科技的无掩膜光刻技术已经成功应用于Micro-LED显示屏幕的制造，显示出其在精密制造方面的强大潜力。这一技术不仅大幅降低了光刻掩模板的制造成本，同时在效率上远超传统的电子束直写技术。因此，这项研究所带来的深紫外Micro-LED技术，将为众多行业提供了一种全新的解决方案。
随着技术的不断优化，思坦科技表示将致力于将AlGaN深紫外Micro-LED的性能提升到新的高度，开发出分辨率在2K至8K的高精度显示产品。这些产品将在科研、医疗及特殊应用领域展现出巨大的市场潜力。
四、引领科技产业升级
在当今信息爆炸的时代，半导体技术的迅猛发展已成为各国竞争力提升的重要基础。思坦科技此次成功研发的无掩膜光刻技术，不仅代表了中国在这一领域的重大进步，也为全球科技产业的快速升级提供了必要的动力。随着更多企业开始关注和研发相关技术，有望在未来催生出更多的市场机会和技术落地应用。
五、总结
思坦科技与多个高等院校及科研机构的联合攻关，展现了多方协作的巨大价值。无掩膜光刻技术的崭露头角，无疑将推动全球半导体行业的技术进步与成本降低，开启新的微观制造时代。未来，随着技术的进一步推广和应用，深紫外Micro-LED的可能性将更加广阔，值得公众和行业给予高度关注。一起期待，这项技术为我们带来的种种惊喜与变化！返回搜狐，查看更多
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