描述：
AP4406B采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作
该器件适用于电池保护或其他开关应用
特征：
VDS = 30V ID =10A
RDS(ON) < 25mΩ @ VGS=10V
应用：
电池保护
负载开关
不间断电源
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责任编辑：
永源微授权一级代理商 AP4406B 30V N沟道增强型MOSFET
2024-10-25 15:05
发布于：广东省
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