特征：
40V;40A
RDS（ON）<7.5mΩ＠VGS=-10V TYP=5.7m
RDS（ON）<14mΩ＠VGS=-4.5V TYP=10m
先进的沟槽技术
无铅产品获得
优秀的 R os {<}on）和低栅极电荷
应用：
PWM 应用
负载开关
电源管理
详情请咨询我司业务15986786916返回搜狐，查看更多
责任编辑：
铨力授权一级代理商 AP80N04Q N沟道增强型MOSFET
2024-11-14 14:05
发布于：广东省
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