靖芯授权一级代理商 JXP2312MRG 20V N沟道增强型MOSFET

描述：

JXP2312MRG采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（ON）、低栅极电荷和高密度单元设计，以实现超低通态电阻

该器件适用于负载开关或PWM应用

特征：

VDS =20V，ID =6A

RDS(ON)(Typ.)=18mΩ @VGS=2.5V

RDS(ON)(Typ.)=16mΩ @VGS=4.5V

高功率和电流处理能力

无铅产品

已获得表面贴装封装

应用：

PWM应用

负载开关

详情请咨询我司业务15986786916返回搜狐，查看更多