描述：
JXP1N20MRG采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（ON）、低栅极电荷和高密度单元设计，以实现超低通态电阻。该器件适用于负载开关或PWM应用。
特征：
ID =1A,VDS=200V
RDS(ON)(Typ.)=1.65Ω@VGS=10V
RDS(ON)(Typ.)=1.85Ω @VGS=4.5V
超低RDS（ON）的高密度电池设计
完全表征的雪崩电压和电流
具有良好的稳定性和均匀性，具有高ESD能力
良好的散热封装 特殊工艺技术，具有高ESD能力应用
应用：
PWM应用
负载开关
详情请咨询我司业务15986786916返回搜狐，查看更多
责任编辑：