靖芯授权一级代理商 JXP1207MRG 12V P沟道增强型MOSFET

描述：

JXP1207MRG采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（ON）、低栅极电荷和高密度单元设计，适用于超低导通电阻。此器件适用于负载开关或PWM应用。

特征：

VDS =-12V，ID =-8A

RDS(ON)(Typ.)=20mΩ @VGS=-2.5V

RDS(ON)(Typ.)=15mΩ @VGS=-4.5V

高功率和电流处理能力

无铅产品

已获得表面贴装封装

应用：

PWM应用

负载开关

详情请咨询我司业务15986786916返回搜狐，查看更多