在2024 IEEE IEDM会议上，IBM与日本半导体制造商Rapidus的合作研发成果引起了业界的广泛关注，双方共同展示了多阈值电压（MultiVt）技术在2nm GAA（全环绕栅极）晶体管中的应用。这项技术突破不仅标志着Rapidus在2nm制程芯片量产方面的重要进展，也昭示着半导体制造技术将迎来一场前所未有的变革。
随着摩尔定律的持续推进，半导体工艺逐步迈向2nm，在这一节点上，传统的FinFET（鳍式场效应晶体管）结构让位于更为先进的GAAFET技术。GAAFET能有效减小电流的泄漏，优化能效，提升运算能力，为实现高效能芯片提供了有力支撑。然而，针对2nm制程的挑战，如何在如此狭小的空间内实现多阈值电压，成为关键技术难题。
多阈值电压技术对于芯片在低电压下执行复杂计算尤其重要。IBM通过引入两种选择性减少层（Selective Layer Reduction, SLR）工艺，成功突破了这一技术瓶颈。这种方法不仅在电性能上未受到负面影响，更为N型和P型半导体通道之间的精密控制提供了可能，开创了2nm芯片制造的新篇章。IBM研究院的高级技术负责人Bao Ruqiang表示，与旧有的设计相比，新的Nanosheet纳米片结构使得生产工艺更加简化且提高了可靠性，为Rapidus的规模化生产奠定了坚实基础。
除了技术的革新，IBM与Rapidus的成功合作也让我们看到了国际合作在科技领域的重要性。面对全球范围内对高效能芯片的需求逐渐增加，芯片制造商们不得不探索新的解决方案。此次合作的成果展示不仅是双方技术实力的体现，也是推动全球半导体行业进步的象征。
展望未来，随着2nm技术的逐步应用，我们可以期待新一代电子产品在性能和能耗上的显著提升。这对于推动人工智能、物联网以及5G等领域的发展具有深远的影响。未来的芯片将更加智能化、节能并具备更强的处理能力，为消费者与商家提供更高效的解决方案。同时，这也进一步促进了AI技术的发展，尤其是在AI绘画与AI创作等领域。
随着AI工具的不断完善，如今的笔记本电脑和智能手机已经具备了强大的计算与创作能力，能够在诸如图像生成、文字创作等方面大展拳脚。使用者将能够利用这些先进的AI算法，大幅提升工作效率，为内容创作者提供更多灵感。
总而言之，IBM与Rapidus的这次突破不仅为半导体行业带来了新的希望，也为其他制造商展示了如何通过合作与创新共同应对技术挑战的范例。在全球科技迅速发展的背景下，未来我们将迎来更加高效的电子产品和更加便捷的生活方式。
解放周末！用AI写周报又被老板夸了！点击这里，一键生成周报总结，无脑直接抄 → → https://ai.sohu.com/pc/textHome?trans=030001_jdaidzkj
责任编辑：