描述：
JXP2003MRG采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（ON）和低栅极电荷。互补MOSFET可用于形成水平偏移的高侧开关，以及许多其他应用。
特征：
N-Channel
VDS =20V，ID =3A
RDS(ON)(Typ.)=32mΩ @VGS=2.5V
RDS(ON)(Typ.)=26mΩ @VGS=4.5V
P-Channel
VDS =-20V，ID =-3A
RDS(ON)(Typ.)=90mΩ @VGS=-2.5V
RDS(ON)(Typ.)=67mΩ @VGS=-4.5V
高功率和电流处理能力
无铅产品获得表面贴装封装
应用：
PWM应用
负载开关
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