在半导体行业持续向前发展的大潮中,珠海格力电子元器件有限公司与珠海格力电器股份有限公司联手发力,申请了一项引人注目的新专利,旨在解决沟槽型MOS器件中常见的闩锁效应问题。这项名为“半导体结构以及半导体器件”的专利,公开号为CN119153538A,申请时间为2024年11月,是对半导体领域的一次重要探索。
据国家知识产权局的信息披露,这项专利涉及一种具有创新性的半导体结构,该结构包含多个关键组成部分,从基础的衬底到不同导电类型的半导体耐压层。在这复杂却又富有魅力的设计中,第一半导体耐压层与衬底同为一种导电类型,而第二半导体耐压层则展现出截然不同的导电特性。这种巧妙的结构布局将有望显著提升器件的整体表现,特别是在电流密度和耐压能力方面。
尤其值得关注的是,该技术的核心在于它会如何有效解决沟槽型MOS器件中一项老大难——闩锁效应。这一现象通常会导致设备的失效,给电气系统带来不少麻烦。而格力新的创新性方案或许将成为扭转局势的关键,助力半导体行业迎来更加光明的未来。
在科技迅速发展的时代,各大企业的科研成果直接关系到竞争力。格力的这项专利不仅展现了其在半导体技术上的深厚积累,也为整个行业注入了新鲜活力。随着这项技术的落地应用,未来的电子产品或许将变得更加智能、高效,为我们带来意想不到的惊喜!返回搜狐,查看更多