2025年1月25日消息,国内知名半导体设备制造商中微半导体设备(上海)股份有限公司于2023年7月申请了一项新专利,题为“用于等离子体刻蚀的气体、气体组合、刻蚀方法及设备”,该专利的公开号为CN119340234A。从专利摘要来看,这项技术专注于提升高深宽比结构的刻蚀质量。
在半导体制造中,高深宽比(Aspect Ratio)结构的刻蚀一直是技术难题。随着芯片技术的不断进步,器件尺寸日益缩小,对刻蚀工艺的要求也随之提升。该发明提出通过采用羰基卤化物、醛基卤化物、羧基卤化物等气体,激发出高效等离子体,以进行优化刻蚀,解决了底部与中部刻蚀速率不一致的问题,从而显著改善了刻蚀的形貌,确保了结构的准直性和有效性。
中微半导体成立于2004年,注册资本超过61927万元人民币,是中国领先的半导体设备制造企业。其在知识产权领域表现突出,已拥有1425项专利,71条商标信息,以及多个行政许可。这些数据不仅体现了公司的技术实力,也反映了中微半导体在半导体行业中的重要地位。
此次专利的申请标志着中微半导体在等离子体刻蚀技术方面的持续创新与发展。当前,随着电子产品向更高性能和更小尺寸的方向发展,传统的刻蚀技术难以满足日益增长的市场需求。中微的这项技术能够在保证高深宽比结构刻蚀质量的同时,通过有效的气体组合,调整等离子体的生成,提高材料的刻蚀效率,这为半导体生产工艺带来了新的可能性。
在用户体验层面,这种优化的刻蚀技术不仅提升了芯片的整体性能,更将减少生产过程中出现的瑕疵,降低生产成本。据报道,许多国内外知名半导体公司已开始关注这些创新技术,以提升自身产品的竞争力。
这一专利的实施,将可能进一步推动中国半导体产业链的自主创新,加速国内半导体技术的进步,促进行业的整体发展。在全球半导体市场竞争激烈的背景下,中微半导体所展现的技术创新能力,值得行业内外的广泛关注。
而从更广泛的行业现状来看,等离子体刻蚀技术的进步,有助于推动整个AI及电子设备制造业的进步。如今,AI技术已经渗透到电子制造的各个环节,不仅仅限于数据分析和效率提升,也涉及到设备创新和材料选择。例如,在芯片设计中,AI算法能根据不同的材料与设计需求,提供最优的刻蚀方案,从而进一步提升生产效率。
总之,中微半导体最新申请的专利显示了中国半导体产业在刻蚀技术上的一项重要突破。企业的持续创新,将在更大程度上推动整个行业的进步,促进更高性能电子产品的问世,未来值得期待。
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