在电子行业的竞争愈加激烈的今天，江西萨瑞微电子技术有限公司于2024年11月申请了一项引人注目的专利，名称为‘一种沟槽MOS器件及其制备方法’。这一专利的公开号为CN119384018A，旨在优化沟槽MOS器件底部拐角处的电场强度，带来更高的耐压性与更低的漏电率。
根据专利的摘要，江西萨瑞通过引入一种浮栅设计来实现这一目标。浮栅的作用是利用电场耦合原理，合理分散漏极产生的大电压所引发的电场强度。更具体来说，在器件关闭时，漏极产生的大电压将电场引导至周围空间，而浮栅则与漏极之间形成电容耦合，感应到一部分电场，从而在浮栅上积累感应电荷。
随着电荷的积累，浮栅的电位将逐渐升高，这一过程会减少浮栅与漏极之间的电势差，降低沟槽底部拐角区域的栅氧化层所处的高场强环境。简而言之，浮栅的创新提升了器件性能，增强了其可靠性。
江西萨瑞成立于2017年，定位于计算机、通信以及电子设备的制造，其注册资本高达8245.0976万元人民币，实缴资本4100万元。通过对天眼查的资料分析，这家公司在知识产权方面非常活跃，拥有多项专利（共计33条）及多个商标，显示出其在科技创新领域的持续努力。
综上所述，江西萨瑞的这一专利不仅是其在MOS器件技术上的一大进步，更为整个电子行业提出了新的设计理念，或许将为未来的智能设备带来更多可能。返回搜狐，查看更多
