在科技界，竞争的火花总是不断迸发。近日，来自TheElec的消息让人瞩目：三星的芯片部门负责人Young Hyun Jun亲自赴美国英伟达总部，展示最新的1b DRAM芯片样品。此次访问的目的，正是为了向英伟达展现这种新研发的高带宽内存（HBM），而该芯片的改良正是基于英伟达去年对设计的请求。
那为什么三星如此重视这次访问呢？在去年，三星曾打算用1b DRAM生产HBM，但面临着良品率不足和过热等硬伤。该款DRAM属于第五代10纳米技术，主要用于HBM3E内存类型。尽管三星曾考虑回归前代1a DRAM以解决这些问题，然而英伟达对此依然坚持要求使用1b DRAM，因此三星的生产计划不得不进行调整。
Young Hyun Jun不仅是三星DS部门的头号人物，更是内存业务的领导者。他在DRAM领域的经验与专长，让他在这次关键的展示中，确保了三星能够紧紧抓住英伟达的HBM3E订单。值得一提的是，竞争对手SK海力士已经切入了这一市场，向英伟达成功供应1b DRAM生产的HBM3E12H，此外美光也在筹备中，预计也会在不久后开始提供相关产品。
昔日的CES展会上，英伟达首席执行官黄仁勋曾对三星提出了再设计的希望，以达到资格认证的标准。因此，Samsung在1b DRAM设计上的改进进展尤为关键。随着技术不断推进，苹果、英伟达等科技巨头对高性能内存的需求愈发旺盛，而三星是否能在这个市场中立于不败之地，将在未来几个月内有一个清晰的答案。总之，此次访问标志着三星对于保持在DRAM市场竞争力的高度重视，也将进一步推动高端内存技术的发展。时间将证明这位主管能否引领三星赢得这场技术与供应链的比拼！返回搜狐，查看更多
