罗姆公司近日推出了采用TOLL(TO-LeadLess)封装的650V GaN HEMT，型号为GNP2070TD-Z。该封装设计紧凑且散热性能优异，具有高电流容量和出色的开关性能。因此，TOLL封装在需要强大功率处理能力的应用中越来越受欢迎，尤其是在工业设备和汽车系统领域。此次发布，罗姆与知名的OSAT(外包半导体封装和测试)供应商ATX半导体(威海)有限公司(以下简称ATX)合作，外包封装制造。
提高电机和电源的效率——这两者合计占全球电力消耗的很大一部分——已成为实现脱碳社会的关键挑战。功率器件在提高效率方面发挥着至关重要的作用。采用SiC(碳化硅)和GaN等先进材料有望显著提升电源性能。
罗姆于2023年4月开始量产其第一代650V GaN HEMT，随后推出了将栅极驱动器和650V GaN HEMT集成在一个封装中的功率级IC。现在，罗姆推出了采用第二代元件并采用TOLL封装的新产品，补充了其现有的DFN8080封装系列。这一扩展增强了罗姆的650V GaN HEMT产品线，满足了市场对日益紧凑和高效的高功率应用的需求。
最新产品在TOLL封装中集成了第二代GaN-on-Si芯片，在关键器件指标——导通电阻与输出电荷的乘积(RDS(ON) × Qoss)方面，提供了行业领先的性能。这一进步支持了在需要高耐压和快速开关速度的电源系统中进一步实现小型化并提高能效。
为了实现大规模生产，罗姆利用其专有技术和在器件设计方面的专业知识，通过垂直整合的生产系统进行产品设计和规划。作为2024年12月10日宣布的合作的一部分，前端制造由台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC)负责，后端处理则由ATX完成。此外，罗姆计划与ATX合作生产汽车级GaN器件。随着GaN器件在汽车领域的应用预计将在2026年加速，罗姆致力于确保快速推出汽车级GaN解决方案。通过加强这些战略合作伙伴关系以及内部开发工作，罗姆有望满足下一代汽车应用对高性能GaN技术日益增长的需求。
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