三星电子副总跳楼自杀 为韩国芯片工艺最高权威

　　据韩国《朝鲜日报》1月27日报道，韩国三星电子一位副总经理跳楼自杀身亡。这位高层是三星电子芯片部门的开发专家。

　　据首尔江南警察署1月26日称，当地时间当天上午10时30分许，三星电子副总经理李某的尸体在首尔江南区的一处公寓被发现。警方称：“目前推定李某从四楼跳楼身亡，尚未发现遗书。”警方认为，李某很可能是自杀，正在调查正确的事故原因。警方称，不会进行尸检。

　　李某拥有美国斯坦福大学工学博士学位，在芯片工艺领域具有国内最高权威。他对用于小型IT产品存储装置的闪存芯片工艺进行改良，从而被选为在三星集团内部只有13人入选的“三星fellow”。

　　李某曾担任三星电子核心事业部门“闪存研究所”所长，去年初在三星集团进行的人事调整中，被调到非存储器部门系统电路集成（SystemLSI）研究所担任所长，而后在今年初的人事调整中，再次从研发部门被调任SystemLSI器兴工厂厂长。据警方一位负责人透露，李某夫人向警方陈述说：“丈夫因这次人事调动结果感到非常难过，最近经常在外边喝完酒回家，而他平时很少喝酒。” (来源：环球网)