东芝调整SRAM突破低压大规模集成电路关键技术
来源：
人民网
2010年02月10日08:30
日本东芝公司日前说，该公司通过调整静态随机存取存储器（SRAM）内部控制机制，使低电压下SRAM出错率大幅下降。这是研制低电压大规模集成电路的一项关键技术突破。
东芝公司8日发表新闻公报说，它们开发出一种实用的新工具，解决了设计效率低的问题。在试制的大规模集成电路中，研发人员使用0.7伏特（比通常情况下降30％）电源电压进行测试。结果发现，SRAM出错的概率大幅下降，只有原先使用0.7伏特电压时的万分之一。
低电压是大规模集成电路的发展趋势，这种集成电路的优点是电力消耗下降，集成电路产生的热量减少，集成度可以进一步提高。而困扰这一技术进步的瓶颈是，组成大规模集成电路的“细胞”——SRAM在低电压下极易出错。修正这一问题，需要调整元件参数。(钱铮） (来源：新华社)
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