四川一多晶硅技术人员犯侵犯商业秘密罪被判5年

　　新华网成都3月22日电（记者　苑坚）四川省乐山市市中区人民法院21日审理终结了一起侵犯商业秘密案，被告人甘居富因对外泄露四川新光硅业科技有限责任公司（简称新光公司）的核心秘密，被判处有期徒刑5年，并处罚金100万元。

　　法院审理查明，从事多晶硅研发生产的新光公司成立于2000年10月，2007年2月方试产成功，是当时国内第一家多晶硅千吨级生产企业。被告人甘居富2002年3月应聘到新光公司，先后任多晶硅工艺专责工程师、技术质量管理部副经理和经理，知晓新光公司大量的核心技术机密，是公司全在掌握多晶硅生产技术的人员之一。

　　2006年7月，甘居富在劳动合同未满的情况下离开新光公司，并与上海思创能源有限公司签订《服务协议》。同年10月，甘居富与上海这家公司签订了为期5年的劳动合同和《保守商业秘密、知识产权及竞业限制协议书》，同时将新光公司多份保密图纸、含有核心技术的电子存储介质托运到上海，并拷贝至新单位为其配备的电脑内。随后，甘居富就以上海思创能源有限公司技术总工、江苏中能光伏科技发展有限公司（简称中能公司）生产副总经理兼总工程师、中能上海分公司技术总工等身份，全面负责中能公司的多晶硅项目技术开发和研究，直至2007年4月被抓获归案。

　　法院审理认为，甘居富违反其劳动单位新光公司关于保守商业秘密的制度和规定，披露、使用和允许他人使用被害单位新光公司的商业秘密，造成被害单位非独家许可实施其商业秘密的损失额3411万元的特别严重后果，其行为已构成侵犯商业秘密罪。